- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت RU1H150R
RU1H150R دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | RU1H150R |
|---|---|
| حجم فایل | 82.65 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت RU1H150R |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU1H150R
- Power Dissipation (Pd): 288W
- Drain Source Voltage (Vdss): 108V
- Continuous Drain Current (Id): 150A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,75A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon